PUMD13,135 دیتاشیت

PUMD13,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PUMD13,115
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 17

مشاهده دیتاشیت PUMD13,115-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: Nexperia PUMD13,135
  • Input Resistor: 4.7kΩ
  • Resistor Ratio: 10
  • Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased,1 PNP - Pre-Biased
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 180MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@10mA,5V
  • Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce): 0.9V@5mA,0.3V
  • Output Voltage (VO(on)@Io/Ii): -
  • Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce): 0.6V@100uA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 100mV@5mA,0.25mA
  • Package: SOT-323-6
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه